Моделирование работы R10000 на нескольких компонентах пакета SPEC Кэшпамять второго уровня
Одним из методов улучшения временных показателей работы кэш-памяти является построение псевдо-множествнно-ассоциативной кэш-памяти. В такой кэш-памяти частота промахов находится на уровне частоты промахов множественно-ассоциативной памяти, а время выборки при попадании соответствует кэш-памяти с прямым отображением. Кэш-память R10000 организована именно таким способом, причем для ее реализации используются стандартные синхронные микросхемы памяти (SRAM). В одном наборе микросхем памяти находятся оба канала кэша. Информация о частоте использования этих каналов хранится в схемах управления кэшем на процессорном кристалле. Поэтому после обнаружения промаха в первичном кэше из наиболее часто используемого канала вторичного кэша считываются две четырехсловные строки. Их теги считываются вместе с первой четырехсловной строкой, а теги альтернативного канала читаются одновременно со второй четырехсловной строкой (это осуществляется простым инвертированием старшего разряда адреса).
При этом возможны три случая. Если происходит попадание по первому каналу, то данные доступны немедленно. Если происходит попадание по альтернативному каналу, происходит повторное чтение вторичного кэша. Если отсутствует попадание по обоим каналам, вторичный кэш должен перезаполняться из основной памяти.
Для обеспечения целостности данных в кэш-памяти большой емкости обычной практикой является использование кодов исправляющих одиночные ошибки (ECC-кодов). В R10000 с каждой четырехсловной строкой хранится 9-битовый ECC-код и бит четности. Дополнительный бит четности позволяет сократить задержку, поскольку проверка на четность может быть выполнена очень быстро, чтобы предотвратить использование некорректных данных. При этом, если обнаруживается корректируемая ошибка, то чтение повторяется через специальный двухтактный конвейер коррекции ошибок.
